纳米中心周伟民博士完成博士后工作顺利出站

2009年7月9日由上海市纳米科技与产业发展促进中心博士后工作站和中科院上海微系统与技术研究所博士后流动站联合组织评审专家组对联合培养的博 士后研究人员周伟民进行出站考核，专家组在听取了周伟民博士的研究总结汇报，认为周伟民博士在把握方向合解决各类技术问题的能力上都有了很大的提高。

周伟民博士通过完成博士后课题，研发的一套软模板复型技术和软模板压印工艺，为低成本、大面积压印技术奠定了基础；针对商业化的GaN –LED出光效率偏低的问题，采用纳米压印技术，重点研究了纳米压印技术在光电LED行业的应用，设计出一条与传统LED行业兼容的工艺。采用纳米压印技 术制备GaN基准光子晶体结构，使得芯片的出光效率提高了15—25%；探索了纳米压印技术在减反射薄膜上的应用，提出了纳米压印技术构筑纳米结构表面功 能化共性技术问题，为进一步开发光学薄膜器件提供思路；在站工作期间共获得国家和市级博士后基金资助共3项，取得了博士后项目资助基金大满贯的优异成绩； 参加国家973重大课题1项、上海市课题3项；发表学术论文14篇，申请与纳米压印相关的专利11项。

最后评审专家组认为周伟民达到了博士后培养预定的目标，符合出站要求，一致同意出站，鉴于周伟民博士在站期间业绩突出，并建议评为优秀博士后。